Wydział Fizyki I Informatyki Stosowanej Akademia Górniczo-Hutnicza



Pobieranie 12.62 Mb.
Strona80/94
Data27.10.2017
Rozmiar12.62 Mb.
1   ...   76   77   78   79   80   81   82   83   ...   94
czterodiodowej. Na rysunku 197 przedstawiono jej dwie wersje układowe (b) i (c). W obu odmianach osiągnięto zwiększenie wartości współczynnika przenoszenia poprzez efektyw-ną redukcję wartości rezystancji Rm. W pierwszej z nich gałęzie rezystywne Rp zaboczni-kowano obwodami diod (D3 i D4), kotwiczących punkty węzłowe mostka (A i B) na zada-nych poziomach sygnału bramkującego; na pierwotne zaciski wejściowe wprowadzono natomiast „sztywne” napięcie polaryzujące ( E ).

W stanie wyczekiwania diody D1 i D2, zgodnie z założeniem, blokowane są odpo-wiednio spoczynkowymi poziomami (+VBL i -VBL ) sygnału bramkującego. (Bramka utrzy-mywana jest wówczas w stanie zamknięcia). Wymuszona zewnętrznym sygnałem bram-kującym zmiana tych poziomów odcina obydwie diody kotwiczące. W tej sytuacji diody mostka polaryzowane są napięciem ( E ) w kierunku przewodzenia i bramka zostaje otwarta. Zmodyfikowany sposób sterowania bramki, eliminuje efekt attenuacji sygnałów sterujących na dzielniku Rp-Rm. Dzięki temu zezwala na stosowanie mniejszych wartości rezystancji Rm, a w konsekwencji umożliwia uzyskanie większej wartości współczynnika przenoszenia. Dla zapewnienia pracy diod D3 i D4 w trybie diod poziomujących, Rm musi przybierać wartości znacząco większe od rezystancji diody przewodzącej Rd ON, czyli speł-niać warunek

(298)
W realizacjach na diodach próżniowych lokuje on wartość Rm min na poziomie 10 k, nato-miast w technice półprzewodnikowej poniżej 1 k. Nie jest to wyłączny warunek nakła-dany na wartość Rm min. Nadal w mocy pozostaje jej uzależnienie od dopuszczalnej obciążalności źródeł sygnałów. Prócz wymienionych explicite uwarunkowań należy dobrać wartości napięć VBL min, VTR min i E min, stosownie do wymagań odcięcia względnie przewo-dzenia diod w fazach zamknięcia i otwarcia bramki. Wyrażają je zależności
(299)

(300)

(301)
Ostatnia formuła wyraża dwa warunki: blokowania diod transmisyjnych mostka (D1
i D2), oraz przewodzenia diod poziomujących (D3 i D4) wymuszającego stan zamknięcia bramki.W stanie przewodzenia bramki, gdy obwody sterowania izolowane są od mostka przez blokowane diody D3, D4, struktura toru transmisyjnego bramki czterodiodowej jest taka sama jak w przypadku bramki dwudiowej. Identyczną formułą (293) opisany jest więc jej współczynnik przenoszenia KON. W alternatywnym stanie bramki, wobec przewodzenia diod kotwiczących, źródła sygnałów - informacyjnego i bramkującego - połączone są wza-jemnie niskimi rezystancjami Rd ON. Wymagane są zatem dostatecznie duże wydajności prądowe obu tych źródeł.
Zastąpienie w konfiguracji dwudiodowej (a) rezystorów Rn parą diod (D3,D4), włączo-nych zgodnie z orientacją diod (D1 i D2), daje drugą wersję bramki czterodiodowej (c). Korygując, stosownie do dokonanej zmiany, formułę (293) przybierze ona obecnie postać
(302)

dokumentującą dalszy, niewielki w stosunku do pierwszej wersji czterodiodowej wzrost wartości współczynnika przenoszenia. Dodajmy, że w obu tych konfiguracjach jest on bardzo bliski jedności. Tę znikomą praktycznie poprawę okupiono większą wrażliwością na niezrównoważenie oraz nadmierny wzrost minimalnej wartości VTR. Warunek zamknięcia bramki w pełnym zakresie dynamicznym żąda natomiast aby VBL min  Vi max.



Na marginesie analizy bramek czterodiodowych wypada odnotować układy pochodne różniące się od konfiguracji (c) jedynie sposobem sterowania Ilustruje je schematycznie rysunek 199, ukazujący dwie możliwe odmiany: (a) z komutowanymi źródłami prądowymi (np. [302]), oraz (b) ze sterowaniem transformatorowym (np. [293]).

Dyskutowane uprzednio odmiany (b) i (c) bramki czterodiodowej stworzyły bazę do syntezy układu wykorzystującego zalety obu wersji, a nie obarczonego ich niedostatkami. Tak właśnie, łączne wprowadzenie obu modyfikacji do podstawowej struktury dwudio-dowej daje w efekcie układ



Pobieranie 12.62 Mb.

Share with your friends:
1   ...   76   77   78   79   80   81   82   83   ...   94




©operacji.org 2020
wyślij wiadomość

    Strona główna
warunków zamówienia
istotnych warunków
przedmiotu zamówienia
wyboru operacji
Specyfikacja istotnych
produktu leczniczego
oceny operacji
rozwoju lokalnego
strategii rozwoju
kierowanego przez
specyfikacja istotnych
Nazwa przedmiotu
Karta oceny
ramach działania
przez społeczno
obszary wiejskie
dofinansowanie projektu
lokalnego kierowanego
Europa inwestująca
Regulamin organizacyjny
przetargu nieograniczonego
kryteria wyboru
Kryteria wyboru
Lokalne kryteria
Zapytanie ofertowe
Informacja prasowa
nazwa produktu
Program nauczania
Instrukcja obsługi
zamówienia publicznego
Komunikat prasowy
programu operacyjnego
udzielenie zamówienia
realizacji operacji
opieki zdrowotnej
przyznanie pomocy
ramach strategii
Karta kwalifikacyjna
oceny zgodno
Specyfikacja techniczna
Instrukcja wypełniania
Wymagania edukacyjne
Regulamin konkursu
lokalnych kryteriów
strategia rozwoju
sprawozdania finansowego
ramach programu
ramach poddziałania
kryteriów wyboru
operacji przez
trybie przetargu